Dizionario degli acronimi
From Elettronica
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Revision as of 13:15, 21 March 2006
Contents A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z ? |
A
- AM = Amplitude Modulation (Modulazione d'ampiezza)
- E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto all'ampiezza della portante.
B
- BSIM = Berkeley Short-channel Igfet Model (Modello Berkeley per MOS a gate isolato con canale corto)
- E' una tipologia di modello per la simulazione dei MOS.
C
- CERDIP = CERamic Dual In-line Package
- Indica un package per chip di tipo DIP realizzato in ceramica.
D
- DFT = Discrete Fourier Transform (Trasformata di Fourier discreta)
- E' l'estensione al dominio discreto della trasformata di Fourier.
- DIP = Dual In-line Package
- Indica un tipo di package per chip di piccole dimensioni, con forma a rettangolo e dove i piedini sono disposti in due file sui lati lunghi.
E
F
- FET = Field Effect Transistor (Transistor ad effetto di campo)
- Indica i transistor dove la regolazione della resistenza tra due terminali e regolata imponendo una tensione sul terzo elettrodo (e quindi un campo elettrico nel semiconduttore).
- FFT = Fast Fourier Transform (Trasformata di Fourier (discreta) veloce)
- E' un algoritmo per il calcolo veloce della trasformata di Fourier discreta.
- FM = Frequency Modulation (Modulazione di frequenza)
- E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto alla frequenza della portante.
G
H
I
J
K
L
- LASER = Light Amplification by the Stimulated Emission of Radiation (Amplificazione della luce attraverso l'emissione indotta di radiazione)
- E' una sorgente di luce con spiccate caratteristiche di coerenza, direzionalità, monocromaticità.
(per la diffusione del suo uso questo acronimo è utilizzato spesso come parola vera e propria: Laser)
- LED = Light-Emitting Diode (diodo ad emissione di luce)
- Diodo che emette fotoni quando è polarizzato in maniera diretta.
M
- MOS = Metal Oxide Semiconductor (Metallo Ossido Semiconduttore)
- Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio.
N
- nMOS = type n-Metal Oxide Semiconductor (Metallo Ossido Semiconduttore di tipo n)
- Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo n.
O
P
- PDIP = Plastic Dual In-line Package
- Indica un package per chip di tipo DIP realizzato in plastica.
- PHP = PHP: Hypertext Preprocessor (PHP: un preprocessore di ipertesti)
- E' un linguaggio di programmazione open-source utilizzato in particolare per sviluppare applicazioni per server internet e pagine web dinamiche.
- PM = Phase Modulation (Modulazione di fase)
- E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo sulla fase della portante.
- pMOS = type p-Metal Oxide Semiconductor (Metallo Ossido Semiconduttore di tipo p)
- Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo p.
Q
R
- RAM = Random Access Memory (Memoria ad accesso casuale)
- Indica le memorie per cui l'accesso al singolo dato può avvenire anche in maniera non strettamente sequenziale.
(Questo acronimo è quasi sempre riferito alle sole memorie volatili e non ai dispositivi di memoria di massa)
- ROM = Read Only Memory (Memoria di sola lettura)
- Indica le memorie che sono accessibili in sola lettura e non scrivibili.
S
- Indica un package per chip di tipo PDIP realizzato con un passo tra i piedini minore.
- SPICE = Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (Programma orientato alla simulazione di circuiti integrati)
- E' un programma per la simulazione di circuiti elettronici.
T
U
- USB = Universal Serial Bus
- Indica uno standard di comunicazione seriale che consente di collegare diverse periferiche ad un computer.
V
- VLSI = Very Large Scale Integration (Integrazione su scala molto estesa)
- Indica le tecnologie capaci di inserire un numero molto elevato di transistor (BJT o MOS) su un singolo chip di silicio.