Dizionario degli acronimi

From Elettronica

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: E' una tipologia di modello per la simulazione dei MOS.
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*'''CDMA''' = [[CDMA|Code Division Multiple Access]] (accesso multiplo a separazione di codice)
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: E' una tecnica di accesso, da parte di più sorgenti di informazione, allo stesso canale di trasmissione.
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*'''CERDIP''' = [[CERamic Dual In-line Package]]
*'''CERDIP''' = [[CERamic Dual In-line Package]]
: Indica un package per chip di tipo [[Dual In-Line Package|DIP]] realizzato in ceramica.
: Indica un package per chip di tipo [[Dual In-Line Package|DIP]] realizzato in ceramica.
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: Indica un tipo di package per chip di piccole dimensioni, con forma a rettangolo e dove i piedini sono disposti in due file sui lati lunghi.
: Indica un tipo di package per chip di piccole dimensioni, con forma a rettangolo e dove i piedini sono disposti in due file sui lati lunghi.
==E==
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*'''EDGE''' =  [[EDGE|Enhanced Data rates for Gsm Evolution]] (velocità di dato migliorata per un'evoluzione del GSM)
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: E' un'estensione degli standard [[GSM]]/[[GPRS]] per la telefonia mobile.
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(è anche conosciuto come EGPRS (Enhanced GPRS))
*'''EIDE''' = Enhanced Integrated Drive Electronics ([[EIDE|IDE migliorato]])
*'''EIDE''' = Enhanced Integrated Drive Electronics ([[EIDE|IDE migliorato]])
: E' il nome commericale della seconda versione dello standard [[ATA]].
: E' il nome commericale della seconda versione dello standard [[ATA]].
==F==
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*'''FDMA''' = [[FDMA|Frequency Division Multiple Access]] (accesso multiplo a separazione in frequenza)
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: E' una tecnica di accesso, da parte di più sorgenti di informazione, allo stesso canale di trasmissione.
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*'''FET''' = Field Effect Transistor ([[Transistor ad effetto di campo]])
*'''FET''' = Field Effect Transistor ([[Transistor ad effetto di campo]])
: Indica i transistor dove la regolazione della resistenza tra due terminali e regolata imponendo una tensione sul terzo elettrodo (e quindi un campo elettrico nel semiconduttore).
: Indica i transistor dove la regolazione della resistenza tra due terminali e regolata imponendo una tensione sul terzo elettrodo (e quindi un campo elettrico nel semiconduttore).
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: E' uno standard di comunicazione per dispositivi di misura e di test.
: E' uno standard di comunicazione per dispositivi di misura e di test.
(è conosciuto anche con la sigla [[GPIB|IEEE-488]])
(è conosciuto anche con la sigla [[GPIB|IEEE-488]])
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*'''GPRS''' = [[GPRS|General Packet Radio Service]] (servizio radio multi-uso a pacchetti)
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: E' un'estensione dello standard [[GSM]] per la telefonia mobile.
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*'''GSM''' = [[GSM|Global System for Mobile communications]] (sistema mondiale per le comunicazioni mobili)
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: E' uno standard di telefonia mobile di tipo digitale.
==H==
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==T==
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*'''TACS''' = [[TACS|Total Access Communications System]] (sistema di comunicazione ad accesso totale)
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: E' uno standard di telefonia mobile analogico oggi non più in uso
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(è l'analogo europeo dell'americano [[AMPS]])
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*'''TDMA''' = [[TDMA|Time Division Multiple Access]] (accesso multiplo a separazione nel tempo)
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: E' una tecnica di accesso, da parte di più sorgenti di informazione, allo stesso canale di trasmissione
==U==
==U==
*'''USB''' = [[Universal Serial Bus]]
*'''USB''' = [[Universal Serial Bus]]
: Indica uno standard di comunicazione seriale che consente di collegare diverse periferiche ad un computer.
: Indica uno standard di comunicazione seriale che consente di collegare diverse periferiche ad un computer.
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*'''UMTS''' = [[UMTS|Universal Mobile Telecommunications System]] (sistema universale di telecomunicazioni mobili)
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: E' uno standard di telfonia mobile.
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(è anche indicato come "[[3G|terza generazione]]" di telefonia mobile.
==V==
==V==
*'''VLSI''' = [[Very Large Scale Integration]] (Integrazione su scala molto estesa)
*'''VLSI''' = [[Very Large Scale Integration]] (Integrazione su scala molto estesa)

Revision as of 15:30, 12 April 2006


Contents
A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z ?


A

E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto all'ampiezza della portante.
E' uno standard per la connessione di dispositivi di memorizzazione all'interno dei personal computer.

(Si noti che con l'introduzione del Serial-ATA, lo standard ATA è ora indicato con P-ATA cioè Parallel-ATA. Si noti anche che gli acronimi commerciali IDE ed EIDE si riferiscono a versioni dello standard ATA)

B

E' una tipologia di modello per la simulazione dei MOS.

C

E' una tecnica di accesso, da parte di più sorgenti di informazione, allo stesso canale di trasmissione.
Indica un package per chip di tipo DIP realizzato in ceramica.

D

E' l'estensione al dominio discreto della trasformata di Fourier.
Indica un tipo di package per chip di piccole dimensioni, con forma a rettangolo e dove i piedini sono disposti in due file sui lati lunghi.

E

E' un'estensione degli standard GSM/GPRS per la telefonia mobile.

(è anche conosciuto come EGPRS (Enhanced GPRS))

E' il nome commericale della seconda versione dello standard ATA.

F

E' una tecnica di accesso, da parte di più sorgenti di informazione, allo stesso canale di trasmissione.
Indica i transistor dove la regolazione della resistenza tra due terminali e regolata imponendo una tensione sul terzo elettrodo (e quindi un campo elettrico nel semiconduttore).
E' un algoritmo per il calcolo veloce della trasformata di Fourier discreta.
E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto alla frequenza della portante.

G

E' uno standard di comunicazione per dispositivi di misura e di test.

(è conosciuto anche con la sigla IEEE-488)

E' un'estensione dello standard GSM per la telefonia mobile.
E' uno standard di telefonia mobile di tipo digitale.

H

I

  • IDE = Integrated Drive Electronics (?)
E' il nome commericale della prima versione dello standard ATA.

J

K

L

E' una sorgente di luce con spiccate caratteristiche di coerenza, direzionalità, monocromaticità.

(per la diffusione del suo uso questo acronimo è utilizzato spesso come parola vera e propria: Laser)

Diodo che emette fotoni quando è polarizzato in maniera diretta.

M

Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio.

N

Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo n.

O

P

E' il nuovo nome assunto dallo standard ATA a seguito dell'introduzione del Serial-ATA.
Indica un package per chip di tipo DIP realizzato in plastica.
E' un linguaggio di programmazione open-source utilizzato in particolare per sviluppare applicazioni per server internet e pagine web dinamiche.
E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo sulla fase della portante.
Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo p.

Q

R

Indica le memorie per cui l'accesso al singolo dato può avvenire anche in maniera non strettamente sequenziale.

(Questo acronimo è quasi sempre riferito alle sole memorie volatili e non ai dispositivi di memoria di massa)

Indica le memorie che sono accessibili in sola lettura e non scrivibili.

S

E' uno standard di connessione dei dispositivi di memorizzazione nell'ambito di un personal computer.
Indica un package per chip di tipo PDIP realizzato con un passo tra i piedini minore.
E' un programma per la simulazione di circuiti elettronici.

T

E' uno standard di telefonia mobile analogico oggi non più in uso

(è l'analogo europeo dell'americano AMPS)

E' una tecnica di accesso, da parte di più sorgenti di informazione, allo stesso canale di trasmissione

U

Indica uno standard di comunicazione seriale che consente di collegare diverse periferiche ad un computer.
E' uno standard di telfonia mobile.

(è anche indicato come "terza generazione" di telefonia mobile.

V

Indica le tecnologie capaci di inserire un numero molto elevato di transistor (BJT o MOS) su un singolo chip di silicio.

W

X

Y

Z

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