Dizionario degli acronimi

From Elettronica

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*'''MOS''' = Metal Oxide Semiconductor ([[Metallo Ossido Semiconduttore]])
*'''MOS''' = Metal Oxide Semiconductor ([[Metallo Ossido Semiconduttore]])
: Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio.
: Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio.
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*'''nMOS''' = type n-Metal Oxide Semiconductor ([[Metallo Osssido Semiconduttore di tipo n]])
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: Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo n.
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*'''pMOS''' = type p-Metal Oxide Semiconductor ([[Metallo Osssido Semiconduttore di tipo p]])
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: Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo p.

Revision as of 19:22, 23 January 2006

E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto all'ampiezza della portante.
E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto alla frequenza della portante.
E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo sulla fase della portante.
Indica i transistor dove la regolazione della resistenza tra due terminali e regolata imponendo una tensione sul terzo elettrodo (e quindi un campo elettrico nel semiconduttore).
Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio.
Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo n.
Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo p.
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