Dizionario degli acronimi
From Elettronica
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: Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio. | : Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio. | ||
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Revision as of 19:22, 23 January 2006
- AM = Amplitude Modulation (Modulazione d'ampiezza)
- E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto all'ampiezza della portante.
- FM = Frequency Modulation (Modulazione di frequenza)
- E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo rispetto alla frequenza della portante.
- PM = Phase Modulation (Modulazione di fase)
- E' la tecnica di modulazione che prevede di inserire l'informazione come un segnale additivo sulla fase della portante.
- FET = Field Effect Transistor (Transistor ad effetto di campo)
- Indica i transistor dove la regolazione della resistenza tra due terminali e regolata imponendo una tensione sul terzo elettrodo (e quindi un campo elettrico nel semiconduttore).
- MOS = Metal Oxide Semiconductor (Metallo Ossido Semiconduttore)
- Indica i transistor ad effetto di campo costituito dalla sovrapposizione di tre strati di, appunto, metallo, ossido e semiconduttore. Nell'evoluzione tecnologica, in realtà, il metallo che costituisce l'elettrodo di controllo del transistor è oggi sempre di polisilicio.
- nMOS = type n-Metal Oxide Semiconductor (Metallo Osssido Semiconduttore di tipo n)
- Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo n.
- pMOS = type p-Metal Oxide Semiconductor (Metallo Osssido Semiconduttore di tipo p)
- Indica i transistor MOS dove il canale di conduzione è silicio di tipo p.